Запоминающий элемент статического биполярного ОЗУ

Данный запоминающий элемент (ЗЭ) представляет собой триггер, построенный на двух биполярных транзисторах, базы которых соединены с коллекторами "крест накрест" (1,а). образуя положительную обратную связь. За уровень логического нуля принимается потенциал, близкий к потенциалу земли, а за уровень логической единицы - напряжение, близкое к + 5 В. К накопителю данный ЗЭ подключается адресной линией АЛ и разрядной линией РЛ (1,б).

Рис. 1. Запоминающий элемент статического биполярного ОЗУ: а - принципиальная схема; б - структурная схема подключения к линиям.

Доступ к ЗЭ обеспечивается подачей напряжения +5 В (уровень логической единицы) на АЛ. При этом возможны режимы:

  • запись информации -
  • запись "0" - когда на разрядную линию РЛ подаётся логический 0. При этом транзистор VT 1 открыт через верхний эмиттер, в точке "а" (1,а) будет низкий потенциал, отличающийся от потенциала земли на величину падения напряжения на открытом транзисторе (порядка 0,4 В). Этот низкий потенциал поступает на базу VT 2 и закрывает его. Таким образом, через VT 2 ток не протекает, падения напряжения на сопротивлении R 2 нет, поэтому в точке "б" схемы будет потенциал, практически равный + 5 В. Он подается на базу транзистора VT 1 и подтверждает его открытое состояние. Триггер пришёл в устойчивое состояние: VT 1 открыт, VT 2 закрыт. Это состояние принимается за нулевое ;
  • запись "1" - когда на разрядную линию РЛ подается логическая 1. Потенциалы обоих эмиттеров и коллектора транзистора VT 1 будут одинаковы и равны + 5 В. Поэтому VT 1 закрыт, ток через него не протекает, падения напряжения на сопротивлении R 1 нет. Следовательно, потенциал точки "а" будет практически равен + 5 В. Он подается на базу VT 2 и открывает его. Из-за разности потенциалов между + 5 В на коллекторе VT 2 и + 1,5 В на его верхнем эмиттере через открытый VT 2 протекает ток по цепи: + 5 В, сопротивление R 2, коллектор, база, верхний эмиттер VT 2. Основная часть падения напряжения в этой цепи в силу малого сопротивления открытого транзистора VT 2 приходится на сопротивление R 2. Поэтому в точке "б" будет низкий потенциал. Он поступает на базу транзистора VT 1 и подтверждает его закрытое состояние. Таким образом триггер пришёл в другое устойчивое состояние: VT 1 закрыт, VT 2 открыт. Оно принимается за единичное.
  • считывание информации - когда на РЛ подается промежуточный потенциал + 1,5 В. Доступ к ЗЭ по-прежнему обеспечивается пода-чей на адресную линию логической 1. При этом возможны варианты:
  • чтение "0". Если ЗЭ находился в состоянии логического 0 ( VT 1 был открыт, а VT 2 закрыт) по РЛ потечёт больший ток, который преобразуется с помощью схем обрамления и на выход схемы подаётся как потенциал логического нуля;
  • чтение "1". Если же в предыдущий момент времени ЗЭ находился в состоянии логической 1 ( VT 2 был открыт, а VT 1 закрыт) по РЛ потечёт меньший ток, который преобразуется с помощью схем обрамления и на выход схемы подаётся как потенциал логической единицы.
  • хранение информации - когда на подаётся 0, а на РЛ уровень логической 1 независимо от подаваемого на информационный вход памяти уровня сигнала. При этом переключение триггера в новое состояние невозможно, поэтому ЗЭ сохраняет ранее записанную информацию. Её сохранение происходит сколь угодно долго ("статично") при наличии электропитания в схеме. Отсюда и название данного типа ОЗУ - статическое.
  • При потере и восстановлении питания состояние каждого ЗЭ непредсказуемо и определяется разбросом параметров транзисторов. Как правило, в управляющей программе предусматривается обнуление памяти.

    Поняття про дидактичні принципи навчання
    Структура оптической линии связи и ее характеристики
    Правила безпеки при експлуатації газу
    Выполнение великого колдовства (Энвольтование)
    Равновесие лопасти относительно ВШ
    Для визначення лінійності функції подамо її у вигляді полінома Жегалкіна
    Проблеми кримінального законодавства країн традиційно - формалізованої романо германської системи права та проблеми гармонізації з ним кримінального законодавства України.
    Характеристика методов и инструментов денежно-кредитной политики
    Этнос», «Этногенез», «Этноним», «Нация». Как и почему возникают и умирают народы?
    Тема 4.3. Использование свойств и графиков функций при решении уравнений и неравенств.
    Який із показників дає змогу найточніше визначити вплив державного боргу на розвиток економіки?
    Какому этапу урока соответствует данная ситуация, а именно привлечение внимания учащихся, проверка готовности рабочего места, наличия учебников, тетрадей, письменных принадлежностей
    Компрессионно-ишемическая нейропатия лицевого нерва.
    Управління якістю туристичних послуг: сутність та значення
    С ПОЧИНОМ, "СПАРТАК"!
    Глава 12. Основные художественные средства визуальной рекламы
    Сушка виробів
    Модель Европейского Суда по правам человека
    Порядок рассмотрения, принятия и одобрения федеральных законов.
    Найбільш масштабними і гострими протиріччями, що породжуються глобальним економічним розвитком є наступні
    Аналитическая работа лизингового отдела строительного предприятия по осуществлению предполагаемых проектов
    Основные положения гуманистической концепции Коменского.
    Статья 48. Полномочия районной Администрации
    Главная Страница